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分类号 描述
H 电学
H9 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕
H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕
H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕
H01L21/34 具有H01L 21/06，H01L 21/16及H01L 21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件〔2〕
H01L21/42 用辐射轰击的〔2〕
H01L21/423 带有高能辐射的〔2〕
H01L21/425 产生离子注入的〔2〕
H01L21/426 应用掩膜的〔5〕

说明：专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供。

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